RJK6002DPH-E0#T2

制造商编号:
RJK6002DPH-E0#T2
制造商:
Renesas瑞萨
描述:
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
规格说明书:
RJK6002DPH-E0#T2说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Renesas(瑞萨)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.8 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 165 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 30W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-251
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装: 3,000

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RJK6002DPH-E0#T2

型号:RJK6002DPH-E0#T2

品牌:Renesas瑞萨

描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO251

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