库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.751528 | ￥13.75 |
| 10 | ￥12.269447 | ￥122.69 |
| 100 | ￥9.566637 | ￥956.66 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | HEXFET® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.8A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 480 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 27 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 350 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
IRF9520NPBF
型号：IRF9520NPBF
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥13.751528 |
| 10+： | ￥12.269447 |
| 100+： | ￥9.566637 |
| 500+： | ￥7.902752 |
| 1000+： | ￥6.93225 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.75