1N5406-TP

制造商编号:
1N5406-TP
制造商:
MCC美微科
描述:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
规格说明书:
1N5406-TP说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: MCC(美微科)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 3 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 40pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AD,轴向
供应商器件封装: DO-201AD
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 1,200

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N5626-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥8.37000 类似
MUR460G onsemi ¥5.30000 类似
STTH3L06 STMicroelectronics ¥7.07000 类似
1N5406-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥4.22000 类似
1N5420 Microchip Technology ¥58.37000 类似

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1N5406-TP

型号:1N5406-TP

品牌:MCC美微科

描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

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