IPB60R299CPATMA1

制造商编号:
IPB60R299CPATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
规格说明书:
IPB60R299CPATMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 299 毫欧 @ 6.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 440µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1100 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 96W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies ¥22.81000 直接

客服

购物车

IPB60R299CPATMA1

型号:IPB60R299CPATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00