DMN3200U-7

制造商编号:
DMN3200U-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
规格说明书:
DMN3200U-7说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.774491 4.77
10 3.886734 38.87
100 2.648848 264.88

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 @ 2.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 650mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AO3424 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥3.69000 类似

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型号:DMN3200U-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

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