IRLR3410CPBF

制造商编号:
IRLR3410CPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
规格说明书:
IRLR3410CPBF说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 105 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC @ 5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 800 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 75

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AOD2922 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥4.92000 类似

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型号:IRLR3410CPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

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