BAV21WS R9G

制造商编号:
BAV21WS R9G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
规格说明书:
BAV21WS R9G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
10000 0.407112 4071.12

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 250 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 200 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: 5pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90,SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323F
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
标准包装: 10,000

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BAV21WS R9G

型号:BAV21WS R9G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

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