货期: 8周-10周
封装: 散装
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥29.790834 | ¥29.79 |
10 | ¥26.725959 | ¥267.26 |
100 | ¥21.484214 | ¥2148.42 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 散装 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 55 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 81A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 12 毫欧 @ 43A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 130 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2900 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 170W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-247AC |
封装/外壳: | TO-247-3 |
标准包装: | 25 |
IRFP054NPBF
型号:IRFP054NPBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC
库存:0
单价:
1+: | ¥29.790834 |
10+: | ¥26.725959 |
100+: | ¥21.484214 |
500+: | ¥17.65184 |
1000+: | ¥16.811169 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥29.79