STGWA30HP65FB2

制造商编号:
STGWA30HP65FB2
制造商:
ST意法半导体
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
规格说明书:
STGWA30HP65FB2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 27.048878 27.05
10 24.291556 242.92
100 19.903323 1990.33

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: HB2
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,30A
功率 - 最大值: 167 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 90 nC
25°C 时 Td(开/关)值: -/71ns
测试条件: 400V,30A,6.8 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 140 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247 长引线
标准包装: 30

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STGWA30HP65FB2

型号:STGWA30HP65FB2

品牌:ST意法半导体

描述:TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30

库存:0

单价:

1+: ¥27.048878
10+: ¥24.291556
100+: ¥19.903323
500+: ¥16.943358
1000+: ¥16.850927

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