MMIX4G20N250

制造商编号:
MMIX4G20N250
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD
规格说明书:
MMIX4G20N250说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 778.40365 778.40
10 739.487819 7394.88
100 666.511591 66651.16

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: -
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 2500 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 23 A
功率 - 最大值: 100 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3.1V @ 15V,20A
电流 - 集电极截止(最大值): 10 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.19 nF @ 15 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 24-SMD 模块(9 引线)
供应商器件封装: 24-SMPD
标准包装: 20

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MMIX4G20N250

型号:MMIX4G20N250

品牌:IXYS艾赛斯

描述:IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD

库存:0

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1+: ¥778.40365
10+: ¥739.487819
100+: ¥666.511591

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