FCI25N60N

制造商编号:
FCI25N60N
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
规格说明书:
FCI25N60N说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: SupreMOS™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 125 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 74 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3352 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 216W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I2PAK(TO-262)
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装: 50

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型号 品牌 参考价格 说明
IPI60R099CPAAKSA1 Rochester Electronics, LLC ¥31.43262 类似

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型号:FCI25N60N

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

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