库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.145693 | ￥3.15 |
| 10 | ￥2.578722 | ￥25.79 |
| 100 | ￥1.365455 | ￥136.55 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 170mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 6 欧姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.6V @ 1mA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 20 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 225mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| PMV213SN,215 | Nexperia USA Inc. | ¥4.38000 | 类似 |
| RSR010N10TL | Rohm Semiconductor | ¥4.76000 | 类似 |
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | ¥3.69000 | 类似 |
BSS123LT1G
型号：BSS123LT1G
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥3.145693 |
| 10+： | ￥2.578722 |
| 100+： | ￥1.365455 |
| 500+： | ￥0.897952 |
| 1000+： | ￥0.610625 |
| 3000+： | ￥0.550795 |
| 6000+： | ￥0.478954 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.15