PSMN0R9-30YLDX

制造商编号:
PSMN0R9-30YLDX
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
规格说明书:
PSMN0R9-30YLDX说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 22.933983 22.93
10 20.571053 205.71
100 16.534809 1653.48

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.87 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 109 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7668 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 291W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56; Power-SO8
封装/外壳: SOT-1023,4-LFPAK
标准包装: 1,500

客服

购物车

PSMN0R9-30YLDX

型号:PSMN0R9-30YLDX

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56

库存:0

单价:

1+: ¥22.933983
10+: ¥20.571053
100+: ¥16.534809
500+: ¥13.585171
1500+: ¥11.644365

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥22.93