CPC3960ZTR

制造商编号:
CPC3960ZTR
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 600V SOT223
规格说明书:
CPC3960ZTR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.400768 8.40
10 7.362356 73.62
100 5.641965 564.20

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 44 欧姆 @ 100mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
Vgs(最大值): ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 100 pF @ 25 V
FET 功能: 耗尽模式
功率耗散(最大值): 1.8W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
标准包装: 1,000

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CPC3960ZTR

型号:CPC3960ZTR

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 600V SOT223

库存:0

单价:

1+: ¥8.400768
10+: ¥7.362356
100+: ¥5.641965
500+: ¥4.460386
1000+: ¥3.568332
2000+: ¥3.23376

货期:1-2天

+ -

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