货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥59.295695 | ¥59.30 |
10 | ¥53.290281 | ¥532.90 |
100 | ¥43.666449 | ¥4366.64 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | CoolMOS™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 不适用于新设计 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 15A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 280 毫欧 @ 9.4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.9V @ 675µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 63 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1660 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 156W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | PG-TO247-3-1 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
标准包装: | 30 |
SPW15N60C3FKSA1
型号:SPW15N60C3FKSA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO247-3
库存:0
单价:
1+: | ¥59.295695 |
10+: | ¥53.290281 |
100+: | ¥43.666449 |
500+: | ¥37.321449 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥59.30