SI3552DV-T1-GE3

制造商编号:
SI3552DV-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
规格说明书:
SI3552DV-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.305625 8.31
10 7.276125 72.76
100 5.580186 558.02

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 105 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.2nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 1.15W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: 6-TSOP
标准包装: 3,000

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SI3552DV-T1-GE3

型号:SI3552DV-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

库存:0

单价:

1+: ¥8.305625
10+: ¥7.276125
100+: ¥5.580186
500+: ¥4.411431
1000+: ¥3.529145
3000+: ¥3.308573

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