货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥13.302166 | ¥13.30 |
10 | ¥11.932054 | ¥119.32 |
100 | ¥9.302056 | ¥930.21 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 26.6A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 6.2 毫欧 @ 18A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 190 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4600 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3W(Ta),6.6W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装: | 2,500 |
SI4477DY-T1-GE3
型号:SI4477DY-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
库存:0
单价:
1+: | ¥13.302166 |
10+: | ¥11.932054 |
100+: | ¥9.302056 |
500+: | ¥7.684321 |
1000+: | ¥6.066574 |
2500+: | ¥6.066574 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.30