IXFH69N30P

制造商编号:
IXFH69N30P
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 300V 69A TO247AD
规格说明书:
IXFH69N30P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 110.999567 111.00
10 100.247267 1002.47
100 82.997538 8299.75

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, Polar
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 69A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 49 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 180 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4960 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 500W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD(IXFH)
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

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IXFH69N30P

型号:IXFH69N30P

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 300V 69A TO247AD

库存:0

单价:

1+: ¥110.999567
10+: ¥100.247267
100+: ¥82.997538
500+: ¥72.273393
1000+: ¥63.583568

货期:1-2天

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