库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.26301 | ￥9.26 |
| 10 | ￥8.192479 | ￥81.92 |
| 100 | ￥6.279326 | ￥627.93 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A，10.7A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 20 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 13.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 641pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 1.9W |
| 工作温度: | -55°C ~ 155°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装: | V-DFN3030-8（K 类） |
| 标准包装: | 3,000 |
DMT3011LDT-7
型号：DMT3011LDT-7
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
库存：0
单价：
| 1+： | ￥9.26301 |
| 10+： | ￥8.192479 |
| 100+： | ￥6.279326 |
| 500+： | ￥4.964103 |
| 1000+： | ￥3.971307 |
| 3000+： | ￥3.598996 |
| 6000+： | ￥3.384617 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.26