FP35R12KT4B16BOSA1

制造商编号:
FP35R12KT4B16BOSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
IGBT MOD 1200V 70A 210W
规格说明书:
FP35R12KT4B16BOSA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 托盘

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 托盘
零件状态: Digi-Key 停止提供
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70 A
功率 - 最大值: 210 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.25V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 2 nF @ 25 V
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
标准包装: 10

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FP35R12KT4B16BOSA1

型号:FP35R12KT4B16BOSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:IGBT MOD 1200V 70A 210W

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