SI7716ADN-T1-GE3

制造商编号:
SI7716ADN-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
规格说明书:
SI7716ADN-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 12.321668 12.32
10 10.981329 109.81
100 8.561259 856.13

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 23 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 846 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.5W(Ta),27.7W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8
封装/外壳: PowerPAK® 1212-8
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RQ3E100MNTB1 Rohm Semiconductor ¥8.37000 类似
RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor ¥4.07000 类似

客服

购物车

SI7716ADN-T1-GE3

型号:SI7716ADN-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

库存:0

单价:

1+: ¥12.321668
10+: ¥10.981329
100+: ¥8.561259
500+: ¥7.072612
1000+: ¥5.583605
3000+: ¥5.583605

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥12.32