UGB8DT-E3/45

制造商编号:
UGB8DT-E3/45
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
规格说明书:
UGB8DT-E3/45说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 13.080116 13.08
10 11.677609 116.78
100 9.102617 910.26

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 8 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 30 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 50

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UGB8DT-E3/45

型号:UGB8DT-E3/45

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

库存:0

单价:

1+: ¥13.080116
10+: ¥11.677609
100+: ¥9.102617
500+: ¥7.519674
1000+: ¥5.93652

货期:1-2天

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