BSC076N06NS3GATMA1

制造商编号:
BSC076N06NS3GATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
规格说明书:
BSC076N06NS3GATMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.325277 16.33
10 14.619392 146.19
100 11.400962 1140.10

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.6 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 50 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4000 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),69W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-5
封装/外壳: 8-PowerTDFN
标准包装: 5,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
PSMN8R5-60YS,115 Nexperia USA Inc. ¥12.59000 类似

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BSC076N06NS3GATMA1

型号:BSC076N06NS3GATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

库存:0

单价:

1+: ¥16.325277
10+: ¥14.619392
100+: ¥11.400962
500+: ¥9.417932
1000+: ¥8.261399
5000+: ¥8.261399

货期:1-2天

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