SQJA60EP-T1_GE3

制造商编号:
SQJA60EP-T1_GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
规格说明书:
SQJA60EP-T1_GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 11.078311 11.08
10 9.892148 98.92
100 7.716522 771.65

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12.5 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1600 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 45W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
标准包装: 3,000

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SQJA60EP-T1_GE3

型号:SQJA60EP-T1_GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

库存:0

单价:

1+: ¥11.078311
10+: ¥9.892148
100+: ¥7.716522
500+: ¥6.374293
1000+: ¥5.032376
3000+: ¥5.032376

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