IXBT2N250-TR

制造商编号:
IXBT2N250-TR
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
IXBT2N250 TR
规格说明书:
IXBT2N250-TR说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
400 150.411109 60164.44

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: BIMOSFET™
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 2500 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 13 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3.5V @ 15V,2A
功率 - 最大值: 32 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 10.6 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 30ns/70ns
测试条件: 2000V,2A,47 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 920 ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
供应商器件封装: TO-268
标准包装: 400

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IXBT2N250-TR

型号:IXBT2N250-TR

品牌:IXYS艾赛斯

描述:IXBT2N250 TR

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