货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥3.590559 | ¥3.59 |
10 | ¥2.695769 | ¥26.96 |
100 | ¥1.526728 | ¥152.67 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | U-MOSIII |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 500mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.5V,5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 630 毫欧 @ 200mA,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 1.23 nC @ 4 V |
Vgs(最大值): | ±10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 46 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 150mW(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | VESM |
封装/外壳: | SOT-723 |
标准包装: | 8,000 |
SSM3K36MFV,L3F
型号:SSM3K36MFV,L3F
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
库存:0
单价:
1+: | ¥3.590559 |
10+: | ¥2.695769 |
100+: | ¥1.526728 |
500+: | ¥1.011101 |
1000+: | ¥0.775173 |
2000+: | ¥0.674068 |
8000+: | ¥0.606656 |
16000+: | ¥0.539256 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.59