LND150K1-G

制造商编号:
LND150K1-G
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
规格说明书:
LND150K1-G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.960994 4.96
25 4.201552 105.04
100 3.676234 367.62

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1000 欧姆 @ 500µA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10 pF @ 25 V
FET 功能: 耗尽模式
功率耗散(最大值): 360mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

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LND150K1-G

型号:LND150K1-G

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3

库存:0

单价:

1+: ¥4.960994
25+: ¥4.201552
100+: ¥3.676234
3000+: ¥3.676196

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥4.96