RGT8TM65DGC9

制造商编号:
RGT8TM65DGC9
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
FIELD STOP TRENCH IGBT
规格说明书:
RGT8TM65DGC9说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 15.319718 15.32
10 13.743292 137.43
100 11.048093 1104.81

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 12 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,4A
功率 - 最大值: 16 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 13.5 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 17ns/69ns
测试条件: 400V,4A,50欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 40 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220NFM
标准包装: 1,000

客服

购物车

RGT8TM65DGC9

型号:RGT8TM65DGC9

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:FIELD STOP TRENCH IGBT

库存:0

单价:

1+: ¥15.319718
10+: ¥13.743292
100+: ¥11.048093
500+: ¥9.077093
1000+: ¥7.521024
2000+: ¥7.340003

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥15.32