IXFH30N50Q3

制造商编号:
IXFH30N50Q3
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
规格说明书:
IXFH30N50Q3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 126.897015 126.90
10 116.588343 1165.88
100 98.468404 9846.84

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, Q3 Class
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 200 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 62 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3200 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 690W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD(IXFH)
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

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IXFH30N50Q3

型号:IXFH30N50Q3

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD

库存:0

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1+: ¥126.897015
10+: ¥116.588343
100+: ¥98.468404
500+: ¥87.594948
1000+: ¥82.37771

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