货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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3000 | ¥0.852682 | ¥2558.05 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 38 毫欧 @ 3.6A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 4.3 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 400 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 800mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23-3 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装: | 3,000 |
DMN2055U-7
型号:DMN2055U-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
库存:0
单价:
3000+: | ¥0.852682 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00