货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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3000 | ¥2.111078 | ¥6333.23 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 12 毫欧 @ 14A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 37 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1810 pF @ 20 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 930mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerDI3333-8 |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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RQ3G100GNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.76000 | 类似 |
DMN4010LFG-13
型号:DMN4010LFG-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
库存:0
单价:
3000+: | ¥2.111078 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00