库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥269.702275 | ￥269.70 |
| 10 | ￥248.755067 | ￥2487.55 |
| 100 | ￥212.42146 | ￥21242.15 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | TrenchP™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 30 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 740 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 73000 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-264（IXTK） |
| 封装/外壳: | TO-264-3，TO-264AA |
| 标准包装: | 25 |
IXTK120P20T
型号：IXTK120P20T
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET P-CH 200V 120A TO264
库存：0
单价：
| 1+： | ￥269.702275 |
| 10+： | ￥248.755067 |
| 100+： | ￥212.42146 |
| 500+： | ￥192.856333 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥269.70