IRLML2030TRPBF

制造商编号:
IRLML2030TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
规格说明书:
IRLML2030TRPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.016043 4.02
10 3.266299 32.66
100 2.225858 222.59

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 @ 2.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: Micro3™/SOT-23
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RSR025N03TL Rohm Semiconductor ¥5.07000 类似

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IRLML2030TRPBF

型号:IRLML2030TRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23

库存:0

单价:

1+: ¥4.016043
10+: ¥3.266299
100+: ¥2.225858
500+: ¥1.669331
1000+: ¥1.251961
3000+: ¥1.159244

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