库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.9A，2.1A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 120 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 3.9nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 190pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 1.7W |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装: | 8-MLP（3x2） |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| ZXMC3AMCTA | Diodes Incorporated | ¥8.37000 | 直接 |
ZXMC3AM832TA
型号：ZXMC3AM832TA
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
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单价：
货期：1-2天
+ -
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