库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥5.375443 | ￥10750.89 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | M |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 8 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 16 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.1V @ 15V，4A |
| 功率 - 最大值: | 68 W |
| 开关能量: | 40µJ（开），136µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 15.2 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 12ns/86ns |
| 测试条件: | 400V，4A，47 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 133 ns |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装: | D²PAK |
| 标准包装: | 1,000 |
STGB4M65DF2
型号：STGB4M65DF2
品牌：ST意法半导体
描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
库存：0
单价：
| 2000+： | ￥5.375443 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00