- 制造商编号：
- TSM2N7000KCT A3G
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
- 规格说明书：
- TSM2N7000KCT A3G说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 剪切带（CT）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 剪切带（CT） 带盒（TB） |
| 零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 300mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 0.4 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 7.32 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 400mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-92 |
| 封装/外壳: | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装: | 2,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BS170-D27Z | onsemi | ¥3.38000 | 类似 |
| 2N7000-D26Z | onsemi | ¥3.53000 | 类似 |
| 2N7000-D74Z | onsemi | ¥3.00000 | 类似 |
| BS170-D74Z | onsemi | ¥3.69000 | 类似 |
TSM2N7000KCT A3G
型号：TSM2N7000KCT A3G
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
库存：0
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货期：1-2天
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