RGTH60TS65DGC11

制造商编号:
RGTH60TS65DGC11
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
IGBT 650V 58A 194W TO-247N
规格说明书:
RGTH60TS65DGC11说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 58 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,30A
功率 - 最大值: 194 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 58 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 27ns/105ns
测试条件: 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 58 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247N
标准包装: 450

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RGTH60TS65DGC11

型号:RGTH60TS65DGC11

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:IGBT 650V 58A 194W TO-247N

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