库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 300 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.1V @ 15V，100A |
| 开关能量: | - |
| 输入类型: | 标准 |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | - |
| 测试条件: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 供应商器件封装: | 模具 |
| 标准包装: | 1 |
SIGC109T120R3LEX1SA2
型号：SIGC109T120R3LEX1SA2
品牌：Infineon英飞凌
描述：IGBT 1200V 100A DIE
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货期：1-2天
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