库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥6.802924 | ￥13605.85 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | E |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 620 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 900 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 34 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 578 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 78W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-252AA |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装: | 2,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXFA10N80P | IXYS | ¥32.02000 | 类似 |
| STB6NK60ZT4 | STMicroelectronics | ¥19.58000 | 类似 |
SIHD6N62ET1-GE3
型号：SIHD6N62ET1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
库存：0
单价：
| 2000+： | ￥6.802924 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00