HS3M V6G

制造商编号:
HS3M V6G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
规格说明书:
HS3M V6G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
3000 1.831614 5494.84

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电流 - 平均整流 (Io): 3A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 50pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB,SMC
供应商器件封装: DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 3,000

客服

购物车

HS3M V6G

型号:HS3M V6G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 3A DO214AB

库存:0

单价:

3000+: ¥1.831614

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00