IXKP20N60C5

制造商编号:
IXKP20N60C5
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
规格说明书:
IXKP20N60C5说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: CoolMOS™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 200 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 45 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1520 pF @ 100 V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): -
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TPH3206PD Transphorm ¥86.47000 类似
STP28NM60ND STMicroelectronics ¥53.91000 类似
AOT27S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥32.25000 类似
SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies ¥55.29000 直接

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IXKP20N60C5

型号:IXKP20N60C5

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB

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