库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥3.198287 | ￥6396.57 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.1A，2.4A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 85 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 11.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 731pF @ 20V |
| 功率 - 最大值: | 1.4W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装: | PowerDI3333-8 |
| 标准包装: | 2,000 |
DMC6070LND-7
型号：DMC6070LND-7
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
库存：0
单价：
| 2000+： | ￥3.198287 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00