货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥30.934722 | ¥30.93 |
10 | ¥27.767892 | ¥277.68 |
100 | ¥22.753184 | ¥2275.32 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 不适用于新设计 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 25 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 39A(Ta),180A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.6 毫欧 @ 40A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 59 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 5150 pF @ 13 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3.6W(Ta),78W(Tc) |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | DIRECTFET™ MX |
封装/外壳: | DirectFET™ 等容 MX |
标准包装: | 4,800 |
IRF6716MTRPBF
型号:IRF6716MTRPBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
库存:0
单价:
1+: | ¥30.934722 |
10+: | ¥27.767892 |
100+: | ¥22.753184 |
500+: | ¥19.447347 |
4800+: | ¥19.447347 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥30.93