货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥24.4272 | ¥24.43 |
10 | ¥21.919508 | ¥219.20 |
100 | ¥17.6195 | ¥1761.95 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | STripFET™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 25 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 21A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 7.3 毫欧 @ 10.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 9.5 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1425 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 5.2W(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PolarPak® |
封装/外壳: | PolarPak® |
标准包装: | 3,000 |
STK820
型号:STK820
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 25V 21A POLARPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥24.4272 |
10+: | ¥21.919508 |
100+: | ¥17.6195 |
500+: | ¥14.476564 |
1000+: | ¥11.994792 |
3000+: | ¥11.167562 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥24.43