STD15N65M5

制造商编号:
STD15N65M5
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
规格说明书:
STD15N65M5说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 50.517595 50.52
10 45.37507 453.75
100 37.174385 3717.44

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ V
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 340 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 816 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 85W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TK380P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage ¥12.59000 类似
IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies ¥10.37000 类似
AOD11S60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥17.97000 类似
IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies ¥14.82000 类似

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STD15N65M5

型号:STD15N65M5

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N CH 650V 11A DPAK

库存:0

单价:

1+: ¥50.517595
10+: ¥45.37507
100+: ¥37.174385
500+: ¥31.645798
1000+: ¥30.328573
2500+: ¥30.328561

货期:1-2天

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