库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥44.465939 | ￥44.47 |
| 10 | ￥39.925876 | ￥399.26 |
| 100 | ￥32.708967 | ￥3270.90 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | DTMOSIV-H |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 98 毫欧 @ 9.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V @ 1.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 65 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3000 pF @ 300 V |
| FET 功能: | 超级结 |
| 功率耗散（最大值）: | 240W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 4-DFN-EP（8x8） |
| 封装/外壳: | 4-VSFN 裸露焊盘 |
| 标准包装: | 2,500 |
TK31V60X,LQ
型号：TK31V60X,LQ
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥44.465939 |
| 10+： | ￥39.925876 |
| 100+： | ￥32.708967 |
| 500+： | ￥27.844568 |
| 1000+： | ￥23.483305 |
| 2500+： | ￥22.873343 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥44.47