IXGK120N120B3

制造商编号:
IXGK120N120B3
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
IGBT 1200V 200A 830W TO264
规格说明书:
IXGK120N120B3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
25 284.669072 7116.73

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: GenX3™
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: PT
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 370 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3V @ 15V,100A
功率 - 最大值: 830 W
开关能量: 5.5mJ(开),5.8mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 470 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 36ns/275ns
测试条件: 600V,100A,2 欧姆,15V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商器件封装: TO-264(IXGK)
标准包装: 25

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
APT75GN120LG Microchip Technology ¥125.64000 类似

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IXGK120N120B3

型号:IXGK120N120B3

品牌:IXYS艾赛斯

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