APT56F60B2

制造商编号:
APT56F60B2
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET N-CH 600V 60A T-MAX
规格说明书:
APT56F60B2说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
30 248.615449 7458.46

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: POWER MOS 8™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 @ 28A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 280 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11300 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1040W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
标准包装: 1

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXFR64N60Q3 IXYS ¥321.24000 类似
IPW60R125C6FKSA1 Infineon Technologies ¥59.75000 类似
AOK42S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥52.53000 类似
IXFR64N60P IXYS ¥155.05000 类似

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APT56F60B2

型号:APT56F60B2

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET N-CH 600V 60A T-MAX

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