STB18N60M6

制造商编号:
STB18N60M6
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
规格说明书:
STB18N60M6说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 28.746414 28.75
10 25.799658 258.00
100 20.736584 2073.66

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ M6
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 280 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 650 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 110W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage ¥17.97000 类似
R6015ENJTL Rohm Semiconductor ¥27.95000 类似

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STB18N60M6

型号:STB18N60M6

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

库存:0

单价:

1+: ¥28.746414
10+: ¥25.799658
100+: ¥20.736584
500+: ¥17.037273
1000+: ¥15.488511

货期:1-2天

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