1N4757A R1G

制造商编号:
1N4757A R1G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE ZENER 51V 1W DO204AL
规格说明书:
1N4757A R1G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 51 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗(最大值)(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 38.8 V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装: DO-204AL(DO-41)
标准包装: 5,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N4757A onsemi ¥2.61000 直接
1N4757A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥2.69000 类似
1N5942BRLG onsemi ¥3.15000 类似
1N4757A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥2.69000 类似
1N4758A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥2.69000 类似

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1N4757A R1G

型号:1N4757A R1G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL

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